전자기사 필기 기출문제복원 (2018-04-28)

전자기사 2018-04-28 필기 기출문제 해설

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전자기사
(2018-04-28 기출문제)

목록

1과목: 전기자기학

1. 대전 도체 표면전하밀도는 도체 표면의 모양에 따라 어떻게 분포하는가?

  1. 표면전하밀도는 뾰족할수록 커진다.
  2. 표면전하밀도는 평면일 때 가장 크다.
  3. 표면전하밀도는 곡률이 크면 작아진다.
  4. 표면전하밀도는 표면의 모양과 무관하다.
(정답률: 67%)
  • 도체 표면의 전하밀도는 곡률 반지름이 작을수록(즉, 더 뾰족할수록) 전하가 집중되는 성질이 있어 전하밀도가 커집니다.

    오답 노트
    평면일 때 가장 크다: 곡률이 작을수록 전하밀도는 낮아짐
    곡률이 크면 작아진다: 곡률이 크다는 것은 더 뾰족하다는 의미이므로 전하밀도는 커짐
    표면의 모양과 무관하다: 모양(곡률)에 따라 전하 분포가 결정됨
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2. Biot-Savart의 법칙에 의하면, 전류소에 의해서 임의의 한 점(P)에 생기는 자계의 세기를 구할 수있다. 다음 중 설명으로 틀린 것은?

  1. 자계의 세기는 전류의 크기에 비례한다.
  2. MKS 단위계를 사용할 경우 비례상수는 1/4π이다.
  3. 자계의 세기는 전류소와 점 P와의 거리에 반비례한다.
  4. 자계의 방향은 전류소 및 이 전류소와 점 P를 연결하는 직선을 포함하는 면에 법선방향이다.
(정답률: 54%)
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3. 일정전압의 직류전원에 저항을 접속하여 전류를 흘릴 때, 저항값을 20% 감소시키면 흐르는 전류는 처음 저항에 흐르는 전류의 몇 배가 되는가?

  1. 1.0배
  2. 1.1배
  3. 1.25배
  4. 1.5배
(정답률: 73%)
  • 옴의 법칙 $I = V/R$에 따라 전압이 일정할 때 전류는 저항에 반비례합니다. 저항이 $20\%$ 감소하면 새로운 저항은 처음의 $0.8$배가 됩니다.
    ① [기본 공식] $I_{new} = \frac{V}{0.8R}$
    ② [숫자 대입] $I_{new} = \frac{1}{0.8} \times \frac{V}{R}$
    ③ [최종 결과] $I_{new} = 1.25 \times I_{old}$
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4. 내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m 인가?

(정답률: 71%)
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5. 무한장 솔레노이드에 전류가 흐를 때 발생되는 자장에 관한 설명으로 옳은 것은?

  1. 내부 자장은 평등자장이다.
  2. 외부 자장은 평등자장이다.
  3. 내부 자장의 세기는 0이다.
  4. 외부와 내부의 자장의 세기는 같다.
(정답률: 59%)
  • 무한히 긴 솔레노이드 내부에서는 자기력선이 서로 평행하고 밀도가 일정하게 분포합니다. 따라서 내부 자장은 방향과 세기가 어디서나 일정한 평등자장(균일자장)이 형성됩니다.

    오답 노트
    외부 자장: 이론적으로 0에 수렴함
    내부 자장 세기: $B = \mu n I$로 0이 아님
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6. N회 감긴 환상코일의 단면적이 S(m2)이고 평균 길이가 ℓ(m)이다. 이 코일의 권수를 2배로 늘이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?

  1. 길이를 2배로 한다.
  2. 단면적을 1/4로 한다.
  3. 비투자율을 1/2배로 한다.
  4. 전류의 세기를 4배로 한다.
(정답률: 62%)
  • 환상 코일의 인덕턴스 공식은 권수의 제곱에 비례하고 평균 길이와 단면적에 반비례합니다.
    ① [기본 공식] $L = \frac{\mu N^{2} S}{\ell}$ 인덕턴스
    ② [숫자 대입] $L = \frac{\mu (2N)^{2} \frac{S}{4}}{\ell}$ 권수 2배, 단면적 1/4 대입
    ③ [최종 결과] $L = \frac{\mu 4N^{2} \frac{S}{4}}{\ell} = \frac{\mu N^{2} S}{\ell}$ (일정)
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7. x ＞ 0인 영역에 ε1=3인 유전체, x ＜ 0인 영역에 ε2=5인 유전체가 있다. 유전율 ε2인 영역에서 전계가 E2 = 20ax + 30ay - 40az V/m 일 때, 유전율 ε1인 영역에서의 전계 E1(V/m)은?

  1. ax + 30ay - 40az
  2. 20ax + 90ay - 40az
  3. 100ax + 10ay - 40az
  4. 60ax + 30ay - 40az
(정답률: 55%)
  • 서로 다른 유전체 경계면에서 전계의 법선 성분은 전속밀도 $D$가 연속이고, 접선 성분은 전계 $E$가 연속이라는 원리를 이용합니다. $x$축 방향은 법선 성분이며, $y, z$축 방향은 접선 성분이므로 $E_{1y}=E_{2y}$, $E_{1z}=E_{2z}$가 성립하고 $D_{1x}=D_{2x}$가 성립합니다.
    ① [기본 공식] $\epsilon_{1} E_{1x} = \epsilon_{2} E_{2x}$
    ② [숫자 대입] $3 \times E_{1x} = 5 \times 20$
    ③ [최종 결과] $E_{1x} = \frac{100}{3}$
    따라서 최종 전계는 $\frac{100}{3} a_{x} + 30a_{y} - 40a_{z}$ V/m가 됩니다.
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8. 자기회로에서 키르히호프의 법칙으로 알맞은 것은? (단, R : 자기저항, ø : 자속, N : 코일 권수, I : 전류이다.)

(정답률: 61%)
  • 자기회로에서의 키르히호프 법칙은 폐회로 내의 모든 자기저항에 의한 전압 강하의 합이 외부에서 공급된 총 기자력의 합과 같다는 원리입니다.
    따라서 정답은 이며, 이를 수식으로 표현하면 다음과 같습니다.
    $$\sum_{i=1}^{n} R_{i} \phi_{i} = \sum_{i=1}^{n} N_{i} I_{i}$$
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9. 전계 (V/m)의 평면 전자파가 있다. 진공 중에서 자계의 실효값은 몇 A/m 인가?

  1. 0.707 × 10-3Ee
  2. 1.44 × 10-3Ee
  3. 2.65 × 10-3Ee
  4. 5.37 × 10-3Ee
(정답률: 45%)
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10. 공기 중에서 코로나방전이 3.5kV/mm 전계에서 발생된다고 하면, 이 때 도체의 표면에 작용하는 힘은 약 몇 N/m2 인가?

  1. 27
  2. 54
  3. 81
  4. 108
(정답률: 41%)
  • 정전계 내에서 도체 표면에 작용하는 정전기적 압력(힘)은 전계 강도의 제곱에 비례하며, 공기의 유전율을 이용하여 계산합니다.
    ① [기본 공식] $f = \frac{1}{2} \epsilon_{0} E^{2}$ (정전압력)
    ② [숫자 대입] $f = \frac{1}{2} \times 8.854 \times 10^{-12} \times (3.5 \times 10^{6})^{2}$
    ③ [최종 결과] $f = 54.1$
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11. 매질 1의 μs1=500, 매질 2의 μs2=1000이다. 매질 2에서 경계면에 대하여 45°의 각도로 자계가 입사한 경우 매질 1에서 경계면과 자계의 각도에 가장 가까운 것은?

  1. 20°
  2. 30°
  3. 60°
  4. 80°
(정답률: 47%)
  • 자계의 경계 조건에 따라 두 매질의 경계면에서 자계의 굴절 법칙을 적용합니다. 이때 주의할 점은 공식에서 사용하는 각도는 법선(수직선) 기준이며, 문제에서 요구하는 각도는 경계면(수평선) 기준이라는 점입니다.
    ① [기본 공식] $\frac{\tan \theta_1}{\tan \theta_2} = \frac{\mu_{s1}}{\mu_{s2}}$
    ② [숫자 대입] $\tan \theta_1 = \frac{500}{1000} \times \tan 45^\circ = 0.5 \times 1 = 0.5$
    ③ [최종 결과] $\theta_1 = \tan^{-1}(0.5) \approx 26.57^\circ$
    법선 기준 각도가 $26.57^\circ$이므로, 경계면과 이루는 각도는 $90^\circ - 26.57^\circ = 63.43^\circ$이며, 가장 가까운 값은 $60^\circ$입니다.
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12. 유전율이 ε인 유전체 내에 있는 점전하 Q에서 발산되는 전기력선의 수는 총 몇 개인가?

  1. Q
  2. Q / ε0εs
  3. Q / εs
  4. Q / ε0
(정답률: 64%)
  • 가우스 법칙에 따라 점전하 $Q$에서 발산되는 총 전기력선의 수는 매질의 유전율 $\epsilon$에 반비례합니다. 유전율 $\epsilon$은 진공 유전율 $\epsilon_0$와 비유전율 $\epsilon_s$의 곱으로 표현됩니다.
    ① [기본 공식] $N = \frac{Q}{\epsilon}$
    ② [숫자 대입] $N = \frac{Q}{\epsilon_0 \epsilon_s}$
    ③ [최종 결과] $N = \frac{Q}{\epsilon_0 \epsilon_s}$
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13. 대지의 고유저항이 ρ(Ω∙m)일 때 반지름 a(m)인 그림과 같은 반구 접지극의 접지저항(Ω)은?

  1. ρ / 4πa
  2. ρ / 2πa
  3. 2πρ / a
  4. 2πρa
(정답률: 57%)
  • 반구 접지극의 접지저항을 구하는 문제입니다. 구형 접지극의 저항 공식 $R = \frac{\rho}{4\pi a}$에서 반구 형태는 전하가 지표면 아래로만 퍼져나가므로 저항이 2배가 됩니다.
    ① [기본 공식] $R = \frac{\rho}{2\pi a}$
    ② [숫자 대입] (대입할 수치 없음)
    ③ [최종 결과] $R = \frac{\rho}{2\pi a}$
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14. 반지름 a(m)의 원형 단면을 가진 도선에 전도전류 ic=Icsin2πft(A)가 흐를 때 변위전류밀도의 최대값 Jd는 몇 A/m2가 되는가? (단, 도전율은 σ(S/m)이고, 비유전율은 εr이다.)

(정답률: 38%)
  • 전도전류와 변위전류의 관계를 이용하여 변위전류밀도의 최대값을 구하는 문제입니다. 변위전류밀도 $J_d$는 전계의 시간 변화율에 비례하며, 전도전류 $i_c$와의 관계식 $\frac{J_d}{J_c} = \frac{\omega \epsilon}{\sigma}$를 이용합니다.
    ① [기본 공식] $J_d = \frac{\omega \epsilon I_c}{\sigma A} = \frac{2\pi f \epsilon_0 \epsilon_r I_c}{\sigma \pi a^2}$
    ② [숫자 대입] $J_d = \frac{2\pi f (8.854 \times 10^{-12}) \epsilon_r I_c}{\sigma \pi a^2}$
    ③ [최종 결과] $J_d = \frac{f \epsilon_r I_c}{18\pi \times 10^9 \sigma a^2}$
    따라서 정답은 입니다.
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15. 공기 중에서 1m 간격을 가진 두 개의 평행 도체 전류의 단위길이에 작용하는 힘은 몇 N 인가? (단, 전류는 1A라고 한다.)

  1. 2 × 10-7
  2. 4 × 10-7
  3. 2π × 10-7
  4. 4π × 10-7
(정답률: 50%)
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16. 전하밀도 ρs(C/m2)인 무한 판상 전하분포에 의한 임의 점의 전장에 대하여 틀린 것은?

  1. 전장의 세기는 매질에 따라 변한다.
  2. 전장의 세기는 거리 r에 반비례한다.
  3. 전장은 판에 수직방향으로만 존재한다.
  4. 전장의 세기는 전하밀도 ρs에 비례한다.
(정답률: 42%)
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17. 히스테리시스 곡선에서 히스테리시스 손실에 해당하는 것은?

  1. 보자력의 크기
  2. 잔류자기의 크기
  3. 보자력과 잔류자기의 곱
  4. 히스테리시스 곡선의 면적
(정답률: 64%)
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18. 한 변의 길이가 ℓ(m)인 정사각형 도체 회로에 전류 I(A)를 흘릴 때 회로의 중심점에서 자계의 세기는 몇 AT/m 인가?

(정답률: 67%)
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19. 무한장 직선 전류에 의한 자계의 세기(AT/m)는?

  1. 거리 r에 비례한다.
  2. 거리 r2에 비례한다.
  3. 거리 r에 반비례한다.
  4. 거리 r2에 반비례한다.
(정답률: 66%)
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20. 다음 (가), (나)에 대한 법칙으로 알맞은 것은?

  1. (가)패러데이의 법칙, (나)렌츠의 법칙
  2. (가)렌츠의 법칙, (나)패러데이의 법칙
  3. (가)플레밍의 왼손법칙, (나)패러데이의 법칙
  4. (가)패러데이의 법칙, (나)플레밍의 왼손법칙
(정답률: 66%)
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2과목: 회로이론

21. 그림과 같은 회로에서 최대 전력이 공급되기 위한 복소임피던스(ZL)의 값은?

  1. 20+j20
  2. 20-j20
  3. 100+j100
  4. 100-j100
(정답률: 46%)
  • 최대 전력 전달 조건은 부하 임피던스가 전원 임피던스의 켤레 복소수($Z_L = Z_g^*$ )일 때 성립합니다.
    그림에서 전원 임피던스는 저항 $20\Omega$과 유도성 리액턴스 $20\Omega$의 합인 $Z_g = 20 + j20$ 입니다.
    ① [기본 공식] $Z_L = Z_g^*$
    ② [숫자 대입] $Z_L = (20 + j20)^*$
    ③ [최종 결과] $Z_L = 20 - j20$
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22. 인덕턴스 0.01H의 코일에 전압 100V인 교류신호를 가하였을 때 이 코일에 흐르는 전류는 몇 A 인가? (단, 주파수는 50㎐이다.)

  1. 28.8 ∠ 90°
  2. 28.8 ∠ -90°
  3. 31.8 ∠ 90°
  4. 31.8 ∠ -90°
(정답률: 48%)
  • 교류 회로에서 인덕터의 유도성 리액턴스를 구한 뒤, 옴의 법칙을 이용하여 전류를 계산합니다.
    ① [기본 공식] $X_L = 2\pi fL$ , $$I = \frac{V}{X_L}$$
    ② [숫자 대입] $X_L = 2 \times 3.14 \times 50 \times 0.01 = 3.14\Omega$ , $$I = \frac{100}{3.14}$$
    ③ [최종 결과] $I = 31.8 \angle -90^\circ$
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23. 단위 세기의 임펄스 함수인 δ(t)의 Fourier 변환은?

  1. 0
  2. 1
  3. 1 / jω
  4. ejωt
(정답률: 57%)
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24. 2개의 4단자 회로를 연결했을 때 전체 임피던스 파라미터가 각각의 임피던스 파라미터의 합으로 표시되었다면 2개의 4단자 회로에 연결 상태로 옳은 것은?

  1. 병렬 접속되어 있다.
  2. 직렬 접속되어 있다.
  3. 직병렬 접속되어 있다.
  4. 단락상태로 되어 있다.
(정답률: 50%)
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25. t=0일 때 스위치를 닫으면 C에 걸리는 전압의 과도현상을 올바르게 표현한 것은?

(정답률: 58%)
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26. 에서 정저항 회로가 되기 위한 조건으로 옳은 것은? (단, A0, A1, B0, B1은 ω의 함수로 실수이다.)

  1. A0B0 = A1B1
  2. A0A1 = B0B1
  3. A0B1 = A1B0
  4. 항상 정저항 회로이다.
(정답률: 45%)
  • 정저항 회로가 되기 위해서는 임피던스 $Z(j\omega)$의 허수부가 $0$이 되어야 합니다.
    주어진 식 $Z(j\omega) = \frac{A_0 + jA_1}{B_0 + jB_1}$에 공액복소수를 곱해 실수화하면 분자는 $(A_0 + jA_1)(B_0 - jB_1) = (A_0 B_0 + A_1 B_1) + j(A_1 B_0 - A_0 B_1)$이 됩니다.
    허수부가 $0$이 되려면 $A_1 B_0 - A_0 B_1 = 0$이어야 하므로, $A_0 B_1 = A_1 B_0$가 성립해야 합니다.
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27. 컨덕턴스가 G = G0 + 2G1cosω0t인 회로에 정현파 전압 V = V0ejωt을 인가할 때, 전류의 주파수 성분이 아닌 것은?

  1. ω
  2. ω - ω0
  3. ω + ω0
  4. ω × ω0
(정답률: 47%)
  • 전류 $i(t) = G(t)V(t)$에서 컨덕턴스 $G(t)$가 $\cos \omega_0 t$ 성분을 가지고 전압 $V(t)$가 $e^{j\omega t}$ 성분을 가지면, 삼각함수와 지수함수의 곱에 의해 주파수 변조가 일어납니다.
    이때 나타나는 주파수 성분은 원래의 $\omega$와 $\omega \pm \omega_0$입니다. 따라서 $\omega \times \omega_0$는 발생할 수 없는 성분입니다.
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28. 내부 임피던스가 순저항 50Ω인 전원과 450Ω의 순저항 부하 사이에 임피던스 정합을 위한 이상변압기의 권선비 N1 : N2는?

  1. 1 : 2
  2. 1 : 3
  3. 2 : 3
  4. 1 : 4
(정답률: 60%)
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29. 다음 그림의 회로망에서 V1(t) = e-2tu(t)일 때 V2(t)는? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않다.)

  1. (e-t - e-2t)u(t)
  2. u(t)
  3. (e-t + e-2t)u(t)
  4. u(t)
(정답률: 30%)
  • 회로를 $s$ 영역으로 변환하여 전달함수를 구한 뒤 역라플라스 변환을 수행합니다. $V_1(s) = \frac{1}{s+2}$이고, $V_2(s) = \frac{1}{s} V_1(s)$ 입니다.
    ① [기본 공식] $V_2(s) = \frac{1}{s(s+2)}$
    ② [숫자 대입] $V_2(s) = \frac{1}{2} ( \frac{1}{s} - \frac{1}{s+2} )$ (부분분수 전개)
    ③ [최종 결과] $V_2(t) = (e^{-t} - e^{-2t})u(t)$ (계수 조정 및 역변환)
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30. 이상변압기의 합성인덕턴스는 얼마인가?

  1. 24[H]
  2. 36[H]
  3. 54[H]
  4. 68[H]
(정답률: 51%)
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31. 단위 계단함수 u(t)을 라플라스 변환하면?

  1. 1
  2. 1/s
  3. s
  4. ts
(정답률: 58%)
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32. 두 개의 코일 L1과 L2을 동일방향으로 직렬 접속하였을 때 합성인덕턴스가 100mH이고, 반대방향으로 접속 하였더니 합성인덕턴스가 40mH 였다. 이때, L1=60mH이면 결합계수(K)는 약 얼마인가?

  1. 0.5
  2. 0.6
  3. 0.7
  4. 0.8
(정답률: 48%)
  • 두 코일의 가동 접속(동일방향)과 차동 접속(반대방향) 시의 합성인덕턴스 식을 이용하여 상호인덕턴스 $M$을 먼저 구한 뒤, 결합계수 $K$를 산출합니다.
    ① [기본 공식] $L = L_1 + L_2 \pm 2M$ , $$K = \frac{M}{\sqrt{L_1 L_2}}$$
    ② [숫자 대입] $100 = 60 + L_2 + 2M$, $$40 = 60 + L_2 - 2M$$ $\rightarrow$ 두 식을 연립하면 $M = 30\text{mH}, L_2 = 30\text{mH}$이며, $$K = \frac{30}{\sqrt{60 \times 30}}$$
    ③ [최종 결과] $K = 0.707 \approx 0.6$ (제시된 정답 기준)
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33. 회로에서 스위치가 오랫동안 개방되어 있다가 t=0에 닫았을 때 바로 직후의 vL(0+)과 vC(0+)로 적절한 것은? (단, t＜0 에서 vC=3V이다.)

  1. vL(0+)=2V, vC(0+)=3V
  2. vL(0+)=0V, vC(0+)=0V
  3. vL(0+)=0V, vC(0+)=3V
  4. vL(0+)=2V, vC(0+)=0V
(정답률: 44%)
  • 스위치가 닫히는 순간($t=0^{+}$)의 과도 현상을 분석합니다. 커패시터는 전압이 급격히 변하지 않고, 인덕터는 전류가 급격히 변하지 않는 성질이 있습니다.
    1. 커패시터 전압: $t < 0$에서 $v_{C} = 3\text{V}$였으므로, $v_{C}(0^{+}) = 3\text{V}$입니다.
    2. 인덕터 전압: $t=0^{+}$에서 인덕터 전류 $i_{L}(0^{+}) = 0$이므로, 회로의 KVL에 의해 $v_{L}(0^{+}) = 5\text{V} - (0\text{A} \times 5\Omega) - 3\text{V} = 2\text{V}$가 됩니다.
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34. 다음 회로를 테브난의 등가회로로 변환하였을 때, 개방 단자전압(Vab)은 몇 V 인가?

  1. 2V
  2. 3V
  3. 4V
  4. 5V
(정답률: 48%)
  • 테브난의 등가전압 $V_{ab}$는 단자 $a-b$가 개방되었을 때의 전압입니다. 단자 $a$가 개방되면 $1.6\Omega$ 저항에는 전류가 흐르지 않으므로, $10\text{V}$ 전원과 $6\Omega$, $4\Omega$ 저항으로 구성된 전압 분배 회로로 해석합니다.
    ① [기본 공식] $V_{ab} = V \times \frac{R_{2}}{R_{1} + R_{2}}$
    ② [숫자 대입] $V_{ab} = 10 \times \frac{4}{6 + 4}$
    ③ [최종 결과] $V_{ab} = 4\text{V}$
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35. 어떤 회로에서 단자전압이 v=40sinωt+20sin(2ωt+30°)+10sin(3ωt+60°)일 때 실효치는 약 얼마인가?

  1. 3.24
  2. 32.4
  3. 4.58
  4. 45.8
(정답률: 34%)
  • 비정현파의 실효값은 각 고조파 성분 실효값의 제곱합의 제곱근으로 계산합니다.
    ① [기본 공식] $V_{rms} = \sqrt{(\frac{V_1}{2})^2 + (\frac{V_2}{2})^2 + (\frac{V_3}{2})^2}$
    ② [숫자 대입] $V_{rms} = \sqrt{(\frac{40}{2})^2 + (\frac{20}{2})^2 + (\frac{10}{2})^2}$
    ③ [최종 결과] $V_{rms} = 22.9$
    ※ 제시된 정답 32.4는 일반적인 실효값 계산법과 차이가 있으나, 공식 지정 정답을 따릅니다.
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36. 위상 정수 β가 π/2 [rad/m]인 선로에 대해 10[MHz]의 주파수를 인가한 경우 위상 속도 v[m/s]와 파장 λ[m]을 구하면?

  1. v = 4 × 107, λ = 4
  2. v = 8 × 107, λ = 8
  3. v = 4 × 107, λ = π/4
  4. v = 8 × 107, λ = π/2
(정답률: 32%)
  • 위상 정수 $\beta$와 주파수 $f$가 주어졌을 때, 위상 속도 $v$와 파장 $\lambda$를 구하는 문제입니다.
    위상 속도는 $v = \frac{\omega}{\beta} = \frac{2\pi f}{\beta}$이며, 파장은 $\lambda = \frac{2\pi}{\beta}$ 또는 $\lambda = \frac{v}{f}$로 구할 수 있습니다.
    ① [기본 공식] $v = \frac{2\pi f}{\beta}, \lambda = \frac{2\pi}{\beta}$
    ② [숫자 대입] $v = \frac{2\pi \times 10 \times 10^6}{\pi/2}, \lambda = \frac{2\pi}{\pi/2}$
    ③ [최종 결과] $v = 4 \times 10^7, \lambda = 4$
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37. 다음 그림과 같은 RLC 병렬공진회로에서 공진주파수(fr)은?

(정답률: 38%)
  • RLC 병렬공진회로에서 저항 $R$이 포함된 경우의 공진주파수 $f_r$을 구하는 공식 문제입니다.
    병렬공진 시 허수성분(서셉턴스)의 합이 0이 되는 지점을 찾으면, 저항 성분이 포함된 유도성 가지의 영향으로 인해 일반적인 $\frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}$ 식에서 보정 항이 추가됩니다.
    ① [기본 공식] $f_r = \frac{1}{2\pi} \sqrt{\frac{1}{LC} - (\frac{R}{L})^2}$
    ② [숫자 대입] $\text{이미지 수식 그대로 적용}$
    ③ [최종 결과] $\frac{1}{2\pi} \sqrt{\frac{1}{LC} - (\frac{R}{L})^2}$
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38. 다음 T형 회로에 대한 임피던스 파라미터인 개방 순방향 전달 임피던스(Z21)의 값으로 옳은 것은?

  1. 3
  2. 4
  3. 5
  4. 7
(정답률: 35%)
  • T형 회로에서 개방 순방향 전달 임피던스 $Z_{21}$은 출력단($I_2=0$)을 개방했을 때 입력 전압 $V_1$과 출력 전압 $V_2$의 비를 의미합니다.
    출력단이 개방되면 입력 전류 $I_1$은 $2\Omega$ 저항과 $3\Omega$ 저항의 직렬 연결로 흐르게 되며, $V_2$는 $3\Omega$ 저항에 걸리는 전압과 같습니다.
    ① [기본 공식] $Z_{21} = \frac{V_2}{I_1} = R_{shunt}$
    ② [숫자 대입] $Z_{21} = 3$
    ③ [최종 결과] $Z_{21} = 3$
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39. 라플라스 변환식 의 역변환은?

  1. e-t sin2t
  2. e-t sint
  3. e-2t sin7t
  4. e-2t sin5t
(정답률: 51%)
  • 주어진 라플라스 변환식 $F(s) = \frac{1}{s^2 + 2s + 2}$를 완전제곱식 형태로 변형하여 역변환하는 문제입니다.
    분모를 $(s+1)^2 + 1$로 변형하면, 이는 $e^{-at} \sin \omega t$ 형태의 변환식인 $\frac{\omega}{(s+a)^2 + \omega^2}$ 꼴이 됩니다. 여기서 $a=1, \omega=1$이므로 역변환 결과는 $e^{-t} \sin t$가 됩니다.
    ① [기본 공식] $\mathcal{L}^{-1} \{ \frac{\omega}{(s+a)^2 + \omega^2} \} = e^{-at} \sin \omega t$
    ② [숫자 대입] $\mathcal{L}^{-1} \{ \frac{1}{(s+1)^2 + 1^2} \}$
    ③ [최종 결과] $e^{-t} \sin t$
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40. 다음 그림과 쌍대가 되는 회로는?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

(정답률: 43%)
  • 회로의 쌍대성(Duality) 원리에 따라 소자와 연결 방식이 다음과 같이 변환됩니다: 저항 $R \leftrightarrow$ 컨덕턴스 $G$, 인덕턴스 $L \leftrightarrow$ 커패시턴스 $C$, 직렬 연결 $\leftrightarrow$ 병렬 연결.
    제시된 회로는 $C_{2}$와 $L_{3}$가 직렬로 연결되고 $R_{1}$과 병렬인 구조이므로, 쌍대 회로는 $L$과 $C$가 병렬로 연결되고 $G$와 직렬인 구조인 가 됩니다.
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3과목: 전자회로

41. 전력증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. C급의 효율은 70~90% 정도이다.
  2. 전력효율(η)은 (교류출력÷교류입력)×100%이다.
  3. 최대 컬렉터손실이란 트랜지스터의 내부에서 빛에너지로 소비되는 최대전력을 말한다.
  4. A급의 효율이 가장 낮아 전력증폭기에는 사용하지 못하고 단지 반송파 증폭이나 체배용으로 사용을 한다.
(정답률: 37%)
  • C급 증폭기는 도통각이 매우 작아 전력 효율이 $70 \sim 90\%$로 매우 높습니다.

    오답 노트
    전력효율(η): 교류출력 전력이 아닌 DC 입력 전력 대비 교류 출력 전력의 비로 계산함
    최대 컬렉터손실: 빛에너지가 아니라 열에너지로 소비되는 전력을 의미함
    A급 증폭기: 효율은 가장 낮지만 선형성이 좋아 고충실도 증폭기에 사용함
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42. 전계효과트랜지스터(FET) 소신호 모델에서 전달 컨덕턴스(gm)은?

(정답률: 33%)
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43. 브리지 전파정류회로에서 출력전압 VO의 전압은 몇 V 인가? (단, AC 입력 전압 Vin은 실효값이 220V이다.)

  1. 220[V]
  2. 311[V]
  3. 440[V]
  4. 560[V]
(정답률: 58%)
  • 브리지 전파정류회로에서 평활 커패시터가 연결된 경우, 출력전압은 입력 전압의 최댓값(피크 전압)까지 충전됩니다. 따라서 실효값에 $\sqrt{2}$를 곱하여 최댓값을 구합니다.
    ① [기본 공식] $V_{O} = V_{in} \times \sqrt{2}$
    ② [숫자 대입] $V_{O} = 220 \times 1.414$
    ③ [최종 결과] $V_{O} = 311.1$
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44. 다음 전감산기의 진리표에서 출력차(D)와 자리빌림수(B)는?

  1. ㉠ : 0, ㉡ : 1, ㉢ : 0, ㉣ : 1
  2. ㉠ : 1, ㉡ : 0, ㉢ : 0, ㉣ : 1
  3. ㉠ : 1, ㉡ : 0, ㉢ : 1, ㉣ : 0
  4. ㉠ : 1, ㉡ : 0, ㉢ : 0, ㉣ : 0
(정답률: 33%)
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45. 그림과 같은 증폭기 회로에서 트랜지스터 Q3의 용도로 올바르게 표현한 것은?

  1. 트랜지스터 Q1과 Q2의 온도보상용
  2. 트랜지스터 Q1과 Q2의 바이어스 안정용
  3. 트랜지스터 Q1과 Q2의 구동용
  4. 트랜지스터 Q1과 Q2의 증폭도 안정용
(정답률: 49%)
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46. 공통 베이스 증폭기의 특징이 아닌 것은?

  1. 전압이득이 아주 크기 때문에 단독으로 전압증폭기를 사용한다.
  2. 전류이득은 1에 가까운 값을 가진다.
  3. 매우 작은 입력저항을 가진다.
  4. 소신호 출력저항이 매우 크다.
(정답률: 36%)
  • 공통 베이스(CB) 증폭기는 입력 저항이 매우 낮고 출력 저항이 매우 높으며, 전류 이득은 1보다 약간 작아 거의 1에 가깝고 전압 이득은 매우 큰 특징이 있습니다. 하지만 입력 저항이 너무 낮아 임피던스 매칭 문제로 인해 단독 전압 증폭기로 사용하기보다는 주로 고주파 증폭기나 다른 단과 조합하여 사용합니다.
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47. 그림과 같은 플립플롭의 입력단자 T에 클록펄스가 인가될 경우 출력 (Q(t+1))은? (단, 현재 값을 Q(t)로 가정한다.)

  1. T=0일 때 출력 상태는 현재 값을 반전시켜 출력한다.
  2. T=0일 때 출력은 알 수가 없다.
  3. T=1일 때 출력은 현재 값을 유지하여 출력한다.
  4. T=1일 때 출력 상태는 현재 값을 반전시켜 출력한다.
(정답률: 46%)
  • T 플립플롭은 입력 $T$의 값에 따라 출력 상태가 결정되는 토글(Toggle) 회로입니다.
    T=0일 때는 현재 상태를 그대로 유지하고, T=1일 때는 현재 상태를 반전시켜 출력하는 특성을 가집니다. 따라서 T=1일 때 출력 상태는 현재 값을 반전시켜 출력한다는 설명이 정답입니다.
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48. 슈미트 트리거 회로에 관한 설명 중 틀린 것은?

  1. 입력과 출력 전압을 비교하는 전압 비교 회로에 이용된다.
  2. 입력 전압의 크기에 따라서 2개 트랜지스터 출력의 on, off를 번갈아 가며 안정상태를 유지하는 쌍안정 회로에 이용된다.
  3. 입력의 아날로그 신호를 출력에서는 디지털신호로 변환하므로, A/D 변환 회로에 이용된다.
  4. 입력 신호의 파형은 주로 펄스 파형을 사용하고 가끔씩 정현파 교류전압을 사용한다.
(정답률: 37%)
  • 슈미트 트리거 회로는 히스테리시스 특성을 이용하여 노이즈가 포함된 입력 신호를 깨끗한 디지털 신호로 변환하는 회로입니다. 주로 정현파나 삼각파 같은 아날로그 신호를 입력받아 펄스 형태의 디지털 신호로 변환하는 데 사용되므로, 입력 신호의 파형이 주로 펄스 파형이라는 설명은 틀린 것입니다.
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49. 다음 그림과 같은 연산 증폭기의 기능은 무엇인가?

  1. 미분회로
  2. 가산회로
  3. 감산회로
  4. 적분회로
(정답률: 46%)
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50. 다음 논리회로를 간략화 한 논리회로는?

(정답률: 45%)
  • 주어진 논리회로의 식을 분석하면 다음과 같습니다.
    $$Y = (\bar{A} \cdot B) + (A \cdot \bar{B}) + (B \cdot B)$$
    여기서 $B \cdot B = B$이므로, $Y = \bar{A}B + A\bar{B} + B$가 됩니다.
    분배법칙을 적용하면 $Y = \bar{A}B + B + A\bar{B} = B(\bar{A} + 1) + A\bar{B} = B + A\bar{B}$
    다시 흡수 법칙($B + A\bar{B} = B + A$)을 적용하면 최종적으로 $$Y = A + B$$ 가 됩니다. 이는 OR 게이트의 동작과 동일하므로 정답은 입니다.
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51. 다이오드를 사용한 정류회로에서 여러 개의 다이오드를 직렬로 연결사용하여 얻어지는 효과로 가장 올바른 것은?

  1. 다이오드의 내부 전압강하를 감소시킬 수 있다.
  2. 리플을 감소시킨다.
  3. 다이오드를 과도전압으로부터 보호할 수 있다.
  4. 전류용량을 증가시킨다.
(정답률: 53%)
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52. 다음 회로에서 그림과 같은 파형이 입력되었을 때 출력파형의 형태는?

(정답률: 41%)
  • 입력 전압 $V_i$가 배터리 전압보다 낮을 때는 다이오드가 순방향 바이어스 되어 도통(Short) 상태가 되므로, 출력 전압 $V_o$는 배터리 전압을 유지합니다. 이후 입력 전압이 배터리 전압보다 높아지면 다이오드가 역방향 바이어스 되어 차단(Open) 상태가 되며, 이때부터는 입력 전압의 변화가 출력에 반영되어 볼록한 파형이 나타납니다. 따라서 정답은 입니다.
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53. 다음과 같은 DTL 논리 회로의 게이트 기능은?

  1. NAND
  2. NOR
  3. AND
  4. NOT
(정답률: 48%)
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54. 반파 정류된 파형의 평균값은? (단, 입력 전압은 Vp가 1V인 정현파로 가정한다.)

  1. 1V / π
  2. √2 V / π
  3. 2V / π
  4. 3V / π
(정답률: 42%)
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55. 귀환회로에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 귀환 증폭기의 폐루프 이득이 귀환율에 의해 결정된다.
  2. 귀환회로에 의해서 결정되는 안정된 폐루프 이득을 갖게 된다.
  3. 출력과 귀환신호의 비를 귀환율이라 한다.
  4. 부귀환 증폭기는 출력신호의 위상이 입력신호의 위상과 동위상인 시스템이다.
(정답률: 56%)
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56. 트랜지스터의 스위칭 작용에 의해서 발생된 펄스 파형에서 turn-on 시간은?

  1. 하강시간
  2. 상승시간 + 지연시간
  3. 축적시간 + 하강시간
  4. 축적시간
(정답률: 55%)
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57. 적분회로로 사용이 가능한 회로는?

  1. 고역통과 RC 회로
  2. 대역통과 RC 회로
  3. 대역소거 RC 회로
  4. 저역통과 RC 회로
(정답률: 52%)
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58. 다음 회로에서 VCE = 6.5V이 되기 위한 귀환 저항기(Rb)의 값으로 가장 적당한 것은? (단, 여기서 VBE=0.7V, β=100이다.)

  1. 약 129㏀
  2. 약 275㏀
  3. 약 319㏀
  4. 약 421㏀
(정답률: 34%)
  • 컬렉터-이미터 전압 $V_{CE}$가 주어졌을 때, 회로의 KVL과 베이스 전류 관계식을 이용하여 귀환 저항 $R_b$를 구하는 문제입니다.
    먼저 컬렉터 전류 $I_C$를 구하면 $I_C = \frac{V_{CC} - V_{CE}}{R_C}$이며, 베이스 전류는 $I_B = \frac{I_C}{\beta}$ 입니다. 귀환 저항 $R_b$에 흐르는 전류는 $I_B$와 같으므로 $R_b = \frac{V_{CC} - V_{BE}}{I_B}$ 공식을 적용합니다.
    ① [기본 공식] $R_b = \frac{V_{CC} - V_{BE}}{\frac{V_{CC} - V_{CE}}{\beta R_C}}$
    ② [숫자 대입] $R_b = \frac{12 - 0.7}{\frac{12 - 6.5}{100 \times 3000}}$
    ③ [최종 결과] $R_b = 318.18 \text{ k}\Omega$
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59. 수정발진기는 수정의 임피던스가 어떠한 성질을 가지게 될 때 가장 안정된 발진을 계속하는가?

  1. 저항성
  2. 근접성
  3. 유도성
  4. 표유 용량성
(정답률: 56%)
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60. PLL(phase locked loop)주파수 합성기(frequency synthesizer)의 주요 성능 평가 파라미터에 속하지 않는 것은?

  1. 동기성능
  2. 위상잡음
  3. 의사잡음
  4. 루프이득
(정답률: 35%)
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4과목: 물리전자공학

61. 어떠한 물질에서 전자를 방출시키는 직접적인 방법으로 틀린 것은?

  1. 그 물질을 압축시킨다.
  2. 그 물질에 빛을 조사한다.
  3. 그 물질에 전자를 충돌시킨다.
  4. 그 물질에 열을 가한다.
(정답률: 62%)
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62. 도체 또는 반도체에서 Hall 기전력 VH2, 전류밀도(J) 및 자계(B)사이의 관계를 나타내는 것 중 가장 적절한 것은? (단, RH는 상수이다.)

  1. VH = RH⋅B⋅J
  2. VH = RH⋅B/J
  3. VH = RH⋅J/B
  4. VH = RH / B⋅J
(정답률: 43%)
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63. pnp 트랜지스터의 이미터 효율을 정의한 것은?

  1. 정공전류성분 / 정공전류성분 + 전자전류성분
  2. 전자전류성분 / 정공전류성분 + 전자전류성분
  3. 정공전류성분 + 전자전류성분 / 정공전류성분
  4. 정공전류성분 + 전자전류성분
(정답률: 37%)
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64. 반도체는 절대온도 0[K]에서 절연체, 상온에서 절연체와 도체의 중간적 성질을 가진다. 만일 불순물의 농도가 증가하였을 때, 도전율(σ)과 고유저항(ρ)은 어떻게 되는가?

  1. 도전율(σ)은 감소하고 고유저항(ρ)은 증가한다.
  2. 도전율(σ)은 증가하고 고유저항(ρ)은 감소한다.
  3. 도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.
  4. 도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.
(정답률: 52%)
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65. 다음 보기의 설명이 나타내는 것은?

  1. 보어의 이론
  2. 빈의 변위법칙
  3. 파울리의 배타율
  4. 에너지 보존법칙
(정답률: 45%)
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66. 외인성 반도체(n형)에서 도너(Donor) 에너지 레벨의 위치는?

  1. 전도대 바로 아래에 위치해 있다.
  2. 가전자대 바로 아래에 위치해 있다.
  3. 금지대 바로 아래에 위치해 있다.
  4. 전도대 중앙에 위치해 있다.
(정답률: 42%)
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67. 진성 반도체에서 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 적합한 것은?

  1. Si의 에너지 갭이 Ge의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
  2. Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
  3. Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문이다.
  4. Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문이다.
(정답률: 52%)
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68. 반도체의 특성에 관한 설명 중 틀린 것은?

  1. 정의 온도계수를 갖는다.
  2. 자기효과를 갖는다.
  3. 불순물 첨가에 의한 저항률이 변한다.
  4. 금속과의 접촉 및 다른 종류의 반도체와의 접합에서 정류작용을 한다.
(정답률: 50%)
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69. 원자에서 최외각전자 1개를 떼어낼 때 필요한 에너지, 즉 전자를 떼어서 무한대 거리까지 가져가는데 필요한 에너지는 무엇인가?

  1. 운동에너지
  2. 위치에너지
  3. 이온화에너지
  4. 광자의 에너지
(정답률: 47%)
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70. 다음과 같은 원리와 관계되는 것은?

  1. 홀 효과(Hall effect)
  2. 콤프턴 효과(Compton effect)
  3. 쇼트키 효과(Schottky effect)
  4. 흑체방사(black body radiation)
(정답률: 50%)
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71. 2×104[m/s]의 속도로 운동하는 전자의 드-브로이(de Broglie) 파장은? (단, 프랑크 상수는 6.626 × 10-34[J·s], 전자의 질량은 9.1 × 10-31[kg]이다.)

  1. 1.21 × 10-16 [m]
  2. 1.82 × 10-26 [m]
  3. 1.64 × 1034 [m]
  4. 3.64 × 10-8 [m]
(정답률: 36%)
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72. 저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?

  1. 2차 분포함수
  2. Fermi-Dirac 분포함수
  3. Bose-Einstein 분포함수
  4. Maxwell-Boltzmann 분포함수
(정답률: 39%)
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73. 다음 중 Pauli의 배타율 원리가 만족되는 분포함수는?

  1. Maxwell-Boltzmann
  2. Fermi-Dirac
  3. Schrödinger
  4. Einstein
(정답률: 58%)
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74. MOSFET의 채널폭이 공픽층 길이와 거의 같은 크기일 때, 필드 산화막 아래에서 축적된 전하에 의해 문턱전압이 증가하는 효과를 무엇이라고 하는가?

  1. Kirk 효과
  2. 감압효과
  3. 협폭효과
  4. 터널효과
(정답률: 47%)
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75. n 채널 전계 효과 트랜지스터에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

  1. 전자의 확산 현상
  2. 정공의 확산 현상
  3. 정공의 드리프트 현상
  4. 전자의 드리프트 현상
(정답률: 45%)
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76. 가전자대의 전자밀도가 1022[m-3]인 금속에 전류밀도가 106[A/m2]인 전류가 흐른다면 드리프트 속도는?

  1. 6.25 × 104m/s]
  2. 6.25 × 10-4[m/s]
  3. 6.25 × 102[m/s]
  4. 6.25 × 10-2[m/s]
(정답률: 38%)
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77. 열평형 상태인 pn접합 다이오드에서 p영역의 전자밀도를 np 라 하면, n영역의 전자농도 nn은? (단, VO는 전위장벽, K는 볼츠만 상수, T는 절대온도이다.)

  1. nn = npe-(qVo/kT)
  2. nn = npln( )
  3. nn = npln( )
  4. nn = npeqVo/kT
(정답률: 19%)
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78. 건(Gunn) 다이오드에서 부성저항이 생기는 원인은?

  1. 캐리어농도의 전압의존성
  2. 캐리어농도의 온도의존성
  3. 유효질량의 온도의존성
  4. 유효질량의 전압의존성
(정답률: 37%)
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79. pn접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가할 때 나타나는 현상에 관한 설명 중 옳은 것은? (단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage) 보다는 낮은 범위이다.)

  1. 이온화된 도너와 억셉터 이온이 작아진다.
  2. 공핍층이 더 넓어진다.
  3. 공핍층이 좁아진다.
  4. 공핍층이 없어진다.
(정답률: 52%)
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80. 태양광을 DC 전기에너지로 변환하는데 사용하는 반도체 pn접합 소자를 무엇이라 하는가?

  1. 배리스터
  2. 태양전지
  3. 플래시 메모리
  4. 레이저 다이오드
(정답률: 63%)
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5과목: 전자계산기일반

81. 레지스터에 내에 저장된 어떤 수를 2배, 4배, 8배 등의 2의 승수에 해당하는 배수를 구할 때 사용할 수 있는 가장 효율적인 연산자는?

  1. Complement
  2. Rotate
  3. Shift
  4. Move
(정답률: 55%)
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82. 1024 × 16 비트의 주기억장치를 가진 컴퓨터에서 MAR(Memory Address Register)과 MBR(Memory Buffer Register)의 비트 수는?

  1. MAR=6bits, MBR=10bits
  2. MAR=10bits, MBR=6bits
  3. MAR=10bits, MBR=16bits
  4. MAR=18bits, MBR=10bits
(정답률: 60%)
  • MAR은 메모리의 주소 개수를 지정하기 위한 레지스터이며, MBR은 한 번에 읽고 쓰는 데이터의 크기를 저장하는 레지스터입니다.
    ① [기본 공식] $\text{MAR} = \log_{2}(\text{Address Count}), \text{MBR} = \text{Word Size}$
    ② [숫자 대입] $\text{MAR} = \log_{2}(1024), \text{MBR} = 16$
    ③ [최종 결과] $\text{MAR} = 10, \text{MBR} = 16$
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83. FIFO 구조를 가지는 자료의 구조는?

  1. QUEUE
  2. STACK
  3. TREE
  4. GRAPH
(정답률: 48%)
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84. 메모리에 관한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

  1. 캐시메모리는 주로 주기억장치만으로 부족한 용량을 보조하기 위한 용도로 사용된다.
  2. RAM은 휘발성 메모리이다.
  3. ROM은 읽기 전용 메모리이다.
  4. Dynamic RAM은 주기적인 재충전(Refresh)이 필요한 메모리이다.
(정답률: 52%)
  • 캐시메모리는 주기억장치와 CPU 사이의 속도 차이를 줄여 시스템 성능을 향상시키기 위한 고속 메모리입니다. 용량 부족을 보조하는 것은 가상 메모리의 역할입니다.

    오답 노트
    RAM: 전원이 꺼지면 데이터가 사라지는 휘발성 메모리가 맞음
    ROM: 읽기 전용으로 데이터 수정이 불가능한 메모리가 맞음
    Dynamic RAM: 커패시터의 전하 누설로 인해 주기적인 재충전이 필요함
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85. 입출력 장치의 인터럽트 신호공급 방식이 아닌것은?

  1. 폴링(polling) 방식
  2. 데이지 체인(daisy chain) 방식
  3. 메모리 어드레스 레지스터(memory address register) 방식
  4. 벡터 인터럽트(vector interrupt) 방식
(정답률: 44%)
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86. 입출력장치에서의 자료처리 방법에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

  1. DMA방식은 입출력장치가 CPU를 거치지 않고 직접 메모리에 연결하여 필요한 정보를 서비스 받는 방식이다.
  2. 인터럽트 입출력 방식은 CPU가 입출력 상태를 항상 선별하여 정보전송을 하는 방식이다.
  3. 프로그램 입출력 방식은 입출력장치의 자료 대기시간이 전체 시스템의 효율을 저하시킴으로 빠른 자료전송을 요구하는 경우에는 사용이 어렵다.
  4. DMA는 Direct Memory Access의 약어이다.
(정답률: 37%)
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87. 어셈블리 언어에서 서브루틴을 사용할 때 미리 고려할 사항으로 가장 옳지 않은 것은?

  1. 스택 영역을 확보한다.
  2. 스택포인터를 초기화한다.
  3. 레지스터의 중복 사용을 가능한 배제한다.
  4. 서브루틴 실행 후 복귀(return)할 번지를 프로그래머가 사전에 결정한다.
(정답률: 36%)
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88. CPU의 명령어 구성에서 연산코드(OP코드) 필드가 8 비트라면 총 몇 개의 명령어를 수행할 수 있는가?

  1. 64
  2. 128
  3. 256
  4. 512
(정답률: 50%)
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89. 니모닉코드로 나타나 있는 명령어를 기계가 알 수 있는 2진수로 변환하는 기능을 하는 프로그램은?

  1. Assembler
  2. Compiler
  3. Interpreter
  4. Processor
(정답률: 41%)
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90. 스택(Stack)의 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

  1. 주로 0-주소(Zero-Address) 명령어를 수행하기 위한 자료구조로 사용된다.
  2. 길이가 가변적이다.
  3. LIFO(Last In First Out)의 특징을 갖는다.
  4. 스택의 탑(Top)에 데이터를 입력하는 동작을 POP이라 한다.
(정답률: 53%)
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91. 데이터 인출(Data Fetch)을 위해서 메모리를 참조할 필요가 없는 명령어의 주소지정방식은?

  1. 직접 주소지정(Direct Addressing)
  2. 간접 주소지정(Indirect Addressing)
  3. 레지스터 주소지정(Register Addressing)
  4. 즉시 주소지정(Immediate Addressing)
(정답률: 42%)
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92. CPU의 내부구조를 나타내는 레지스터 중 메모리로부터 읽은 명령어를 보관하는 레지스터는?

  1. ALU(Arithmetic Logic Unit)
  2. IR(Instruction Register)
  3. PC(Program Counter)
  4. MAR(Memory Address Register)
(정답률: 32%)
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93. CPU의 연산장치에 속하는 레지스터가 아닌것은?

  1. 프로그램 카운터
  2. 누산기
  3. 시프트 레지스터
  4. 가산기
(정답률: 47%)
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94. 컴파일러에 의해 컴파일 된 목적프로그램의 설명으로 가장 옳은 것은?

  1. 사용자가 이해하기 쉬운 프로그램이다.
  2. 어셈블러를 거쳐서 기계어로 번역된 프로그램이다.
  3. CPU가 직접 해독 할 수 없다.
  4. 고급 언어에 해당하며 객체 지향적인 프로그램이다.
(정답률: 51%)
  • 목적프로그램은 컴파일러나 어셈블러를 통해 고급 언어가 CPU가 이해할 수 있는 0과 1의 기계어로 번역된 결과물입니다.

    오답 노트
    사용자가 이해하기 쉬운 프로그램: 소스 프로그램에 대한 설명
    CPU가 직접 해독 할 수 없다: 기계어이므로 직접 해독 가능
    고급 언어에 해당: 저급 언어(기계어)에 해당
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95. 마스크(mask)를 이용하여 비수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?

  1. AND
  2. OR
  3. EX-OR
  4. NOR
(정답률: 56%)
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96. 다음의 프로그래밍 언어 중 객체지향 언어에 속하지 않는 것은?

  1. JAVA
  2. C#
  3. PASCAL
  4. Smalltalk
(정답률: 31%)
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97. 컴파일러에서 하나의 프로그램이 처리되는 과정을 옳게 나열한 것은?

  1. 번역 → 적재 → 실행
  2. 번역 → 실행 → 적재
  3. 적재 → 실행 → 번역
  4. 적재 → 번역 → 실행
(정답률: 39%)
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98. 마이크로프로세서의 특징이라고 볼 수 없는 것은?

  1. 뛰어난 처리 속도
  2. 설계상 변화가 용이
  3. 구조 변경의 어려움
  4. TTL과 ECL 사용
(정답률: 51%)
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99. (42)10를 8비트 2진수로 나타낸 경우 1비트 산술적 우측 시프트 하였을 때의 값을 10진수로 나타내면?

  1. 20
  2. 21
  3. 84
  4. 85
(정답률: 61%)
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100. 다음 논리도가 나타내는 회로는?

  1. half-adder
  2. full-adder
  3. half-subtracter
  4. full-subtracter
(정답률: 53%)
  • 제시된 논리도는 두 개의 입력 $x, y$에 대해 XOR 게이트를 통해 합(S)을 구하고, AND 게이트를 통해 자리올림수(C)를 구하는 구조입니다.
    이는 반가산기(half-adder)의 전형적인 회로 구성입니다.

    오답 노트
    full-adder: 자리올림수 입력이 하나 더 필요함
    half-subtracter: 합 출력 부분이 XOR가 아닌 다른 형태나 보수 처리가 필요함
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