1과목: 전기자기학
1. 액체 유전체를 포함한 콘덴서 용량이 C[f]인 것에 V [V]의 전압을 가했을 경우에 흐르는 누설전는 몇 [A]인가?
3. 그림과 같이 평행판 콘덴서에 교류전원을 접속할 때 전류의 연속성에 대해서 성립하는 식은? (단, E : 전계, D : 전속밀도, ρ : 체적전하밀도, i : 전도전류밀도, B : 자속밀도, t : 시간이다.)
- ▽∙D=ρ
- ▽∙B =0
-
CBT문제은행AI2026-04-27 23:32
전류의 연속성에 의해 전도전류밀도 $i$와 변위전류밀도 $\frac{\partial D}{\partial t}$의 합에 대한 발산(divergence)은 0이 되어야 합니다.
따라서 정답은 $\nabla \cdot (i + \frac{\partial D}{\partial t}) = 0$ 인
입니다.
4. 면전하 밀도가 ρs[C/m2]인 무한히 넓은 도체판에서 R[m]만큼 떨어져 있는 점의 자계의 세기[V/m]는?
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:32
무한히 넓은 도체판(단일 도체판) 주변의 전계 세기는 가우스 법칙에 의해 면전하 밀도를 진공의 유전율의 2배로 나눈 값과 같습니다. (문제에서 자계의 세기라고 언급되었으나, 단위가 V/m이며 공식 구성상 전계의 세기를 묻는 문제입니다.)
$$\text{전계의 세기} = \frac{\rho_s}{2\epsilon_0}$$
따라서 정답은
입니다.
5. 그림과 같이 한 변의 길이가 ℓ[m]인 정6각형 회로에 전류 I[A]가 흐르고 있을 때 중심 자계의 세기는 몇 [A/m]인가?
6. 그림과 같이 면적 S[m2]인 평행판 콘덴서의 극판 간에 판과 평행으로 두께 d1[m], d2[m], 유전율 ε1[F/m], ε2[F/m]의 유전체를 삽입하면 정전용량[F]은?
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:32
두 개의 유전체가 직렬로 연결된 구조이므로, 각 유전체 층의 정전용량을 구한 뒤 직렬 합성 정전용량 공식을 적용합니다.
① [기본 공식] $\frac{1}{C} = \frac{1}{C_1} + \frac{1}{C_2} = \frac{d_1}{\epsilon_1 S} + \frac{d_2}{\epsilon_2 S}$
② [숫자 대입] $C = \frac{1}{\frac{1}{S} ( \frac{d_1}{\epsilon_1} + \frac{d_2}{\epsilon_2} )}$
③ [최종 결과] $C = \frac{S}{\frac{d_1}{\epsilon_1} + \frac{d_2}{\epsilon_2}}$
7. 무한이 넓은 두 장의 도체판을 d[m]의 간격으로 평행하게 놓은 후, 두 판 사이에 V[V]의 전압을 가한 경우 도체판의 단위 면적당 작용하는 힘은 몇 [N/m2 ]인가?
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:32
평행판 도체 사이의 단위 면적당 작용하는 힘은 전계 강도에 의한 정전기적 에너지 밀도와 같습니다.
① [기본 공식] $f = \frac{1}{2} \epsilon_{0} E^{2} = \frac{1}{2} \epsilon_{0} (\frac{V}{d})^{2}$ 단위면적당 힘 = 1/2 × 유전율 × (전압/간격)²
② [숫자 대입] $f = \frac{1}{2} \epsilon_{0} (\frac{V}{d})^{2}$
③ [최종 결과] $f = \frac{1}{2} \epsilon_{0} (\frac{V}{d})^{2}$
9. 그림에서 ℓ=100[cm], S=10[m2], μs=100, N=1000회인 회로에 전류 I=10[A]를 흘렸을 때 저축되는 에너지는 몇 [J]인가?
- 2π×10-1
- 2π×10-2
- 2π×10-3
- 2π
10. 패러데이의 법칙에 대한 설명으로 가장 알맞은 것은?
- 전자유도에 의하여 회로에 발생되는 기전력은 자속 쇄교수의 시간에 대한 증가율에 반비례한다.
- 전자유도에 의하여 회로에 발생되는 기전력은 자속의 변화를 방해하는 방향으로 기전력이 유도된다.
- 정전유도에 의하여 회로에 발생하는 기자력은 자속의 변화방향으로 유도된다.
- 전자유도에 의하여 회로에 발생하는 기전력은 자속 쇄교수의 시간 변화율에 비례한다.
11. 정전에너지, 전속밀도 및 유전상수 εr의 관계에 대한 설명 옳지 않은 것은?
- 동일 전속밀도에서는 εr이 클수록 정전에너지는 작아진다.
- 동일 정전에너지에서는 εr이 클수록 전속밀도가 커진다.
- 전속은 매질에 축적되는 에너지가 최대가 되도록 분포된다.
- 굴절각이 큰 유전체는 εr이 크다.
12. 평균길이 1[m], 권수 1000회의 솔레노이드 코일에 비투자율 1000의 철심을 넣고 자속밀도 1[Wb/m2]을 얻기 위해 코일에 흘려야 할 전류는 몇 [A]인가?
- 10/4π
- 100/8π
- 1π/100
- 4π/10
13. 환상철심에 권수 3000회의 A코일과 권수 200회인 B코일이 감겨져 있다. A코일의 자기 인덕턴스가 360[mH]일 때 A, B en 코일의 상호 인덕턴스[mH]는? (단, 결합계수는 1이다.)
- 16[mH]
- 24[mH]
- 36[mH]
- 72[mH]
14. 대전된 도체의 특징이 아닌 것은?
- 도체에 인가된 전하는 도체 표면에만 분포한다.
- 가우스 법칙에 의해 내부에는 전하가 존재한다.
- 전계는 도체 표면에 수직인 방향으로 진행된다.
- 도체표면에서의 전하밀도는 곡률이 클수록 높다.
15. 맥스웰의 전자방정식에 대한 의미를 설명한 것으로 잘못된 것은?
- 자계의 회전은 전류밀도와 같다.
- 전계의 회전은 자속밀도의 시간적 감소율과 같다.
- 단위체적당 발산 전속수는 단위체적당 공간전하 밀도와 같다.
- 자계는 발산하며, 자극은 단독으로 존재한다.
16. 유전체에서 변위 전류를 발생하는 것은?
- 분극전하밀도의 공간적 변화
- 분극전하밀도의 시간적 변화
- 전속밀도의 공간적 변화
- 전속밀도의 시간적 변화
17. 두 개의 길고 직선인 도체가 평행으로 그림과 같이 위치하고 있다. 각 도체에느 10[A]의 전류가 같은 방향으로 흐르고 있으며, 이격거리는 0.2[m]일 때 오른쪽 도체의 단위길이당 힘은? (단, aX, aZ는 단위 벡터이다.)
- 10-2(-aX)[N/m]
- 10-4(-aX)[N/m]
- 10-2(-aZ)[N/m]
- 10-4(-aZ)[N/m]
18. 그림과 같이 비투자율이 μs1, μs2인 각각 다른 자성체를 접하여 놓고 θ1을 입사각이라 하고, θ2를 굴절각이라 한다. 경계면에 자하가 없는 경우 미소 폐곡면을 취하여 이 곳에 출입하는 자속수를 구하면?
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:32
가우스의 자기 법칙에 따르면, 자석의 단극자(자하)는 존재하지 않으므로 임의의 폐곡면을 통과하는 전체 자속의 합은 항상 0이 됩니다.
따라서 미소 폐곡면을 통해 출입하는 자속수를 구하면 다음과 같습니다.
$$\int_{S} B \cdot n dS = 0$$
제시된 이미지
가 이 원리를 정확히 나타내고 있습니다.
19. 전자파의 전파속도[m/s]에 대한 설명 중 옳은 것은?
- 유전율에 비례한다.
- 유전율에 반비례한다.
- 유전율과 투자율의 곱의 제곱근에 비례한다.
- 유전율과 투자율의 곱의 제곱근에 반비례한다.
20. 강자성체의 자속밀도 B의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
- J는 B와 같다.
- J는 B보다 약간 작다.
- J는 B보다 약간 크다.
- J는 B보다 대단히 크다.
2과목: 회로이론
21. 시정수 T인 TL 직렬회로에 t=0에서 직류전압을 가하였을 때 t=4T에서의 회로 전류는 정상치의 몇 [%]인가? (단, 초기치는 0으로 한다.)
- 63[%]
- 86[%]
- 95[%]
- 98[%]
22. 다음 설명 중 옳은 것은?
- 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
- 루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서만 적용할 수 있다.
- 루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
- 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
23. 직렬회로에서 L=21[,H], R=3[Ω]일 때 시정수는 몇 [sec]인가?
- 700
- 7000
- 7×10-2
- 7×10-3
24. 다음과 같은 회로에 100[V]의 전압을 인가하였다. 최대전력이 되기 위한 용량성 리액턴스 XC 값은? (단, R=10[Ω], ωL=10[Ω]이다.)
- 12[Ω]
- 12.5[Ω]
- 20[Ω]
- 25[Ω]
25. 그림에서 상자는 저항만으로 구성된 회로망이다. v1=20t이고 v2=0일 때 i1=5t 및 i2=2t이다. v1=20t+40이고 v2=40t+10일 때 i1을 구하면?
- i1=-2t[A]
- i1=t+9[A]
- i1=-4-1[A]
- i1=-5t+10[A]
26. 다음 정현파의 순시치 식을 phasor로 나타낸 것으로 옳은 것은?
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:32
정현파의 순시치 식을 페이저(Phasor)로 변환할 때는 실효값과 위상각을 추출합니다. 주어진 식 $$e = 10\sqrt{2}\sin[wt + \frac{4\pi}{3}]$$ 에서 최대값은 $10\sqrt{2}$이므로 실효값은 $10$이 되고, 위상각은 $\frac{4\pi}{3}$ 입니다. 따라서 이를 페이저로 나타내면
가 됩니다.
27. 대칭 4단자망에서 영상 임피던스는?
- √BC
- √AD
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:32
대칭 4단자망에서 영상 임피던스 $Z_0$는 4단자 정수 $A, B, C, D$를 이용하여 정의됩니다.
정답은 $\sqrt{\frac{BC}{AD}}$ 인
입니다.
28. R-L 직렬회로의 임피던스가 11.18[Ω]이고, L=10[mH]이다. 정현파 전압을 인가해서 전압이 전류보다 63.4°만큼 위상이 빠르게 될 때의 R[Ω]과 ω[rad/sec]는 약 얼마인가? (단, tan 63.4°≒2)
- R=5, ω=1000
- R=50, ω=1000
- R=50, ω=100
- R=5, ω=100
29. 단자 회로에 인가되는 전압과 유입되는 전류의 크기만을 생각하는 겉보기 전력은?
- 유효전력
- 무효전력
- 평균전력
- 피상전력
30. 이상 변압기의 조건 중 옳지 않은 것은?
- 코일에 관계되는 손실이 0이다.
- 두 코일간의 결합계수가 1이다.
- 동손, 철손이 약간 있어야 한다.
- 각 코일의 인덕턴스가 ∞이다.
31. 
의 라플라스 역 변환은?
- -1+et
- -1-e-t
- 1-et
- 1-e-t
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:32
주어진 라플라스 변환 함수 $F(s) = \frac{1}{s(s-1)}$을 부분분수 전개하여 역변환을 수행합니다.
① [기본 공식] $\frac{1}{s(s-1)} = \frac{1}{s-1} - \frac{1}{s}$
② [숫자 대입] $\mathcal{L}^{-1} \{ \frac{1}{s-1} - \frac{1}{s} \} = e^{1t} - 1$
③ [최종 결과] $-1 + e^t$
32. R-C 직렬회로에 일정 전압 E[V]을 인가하고, t=0에서 스위치를 ON한다면 콘덴서 양단에 걸리는 전압 VC는?
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:32
RC 직렬회로에서 스위치를 닫았을 때, 콘덴서에 전하가 충전되면서 전압이 지수함수적으로 상승하는 과도 현상 공식입니다.
① [기본 공식] $V_C = E(1 - e^{-\frac{t}{RC}})$
② [숫자 대입] (조건식 그대로 적용)
③ [최종 결과] $V_C = E(1 - e^{-\frac{1}{RC}t})$
33. Y 결선한 이상적인 3상 평형전원에 관한 것으로 옳은 것은?
- 선간 전압의 크기 = 상전압의 크기
- 선간 전압의 크기 = 상전압의 크기×√3
- 선간 전압의 크기 = 상전류의 크기×√3
- 상전압의 크기 = 선간 전압의 크기×√3
34. R, L, C가 직렬로 연결될 때 공진현상이 일어날 조건은? (단, ω는 각 주파수이다.)
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:32
RLC 직렬회로에서 공진은 유도 리액턴스($X_L$)와 용량 리액턴스($X_C$)의 크기가 같아져 서로 상쇄될 때 발생합니다. 즉, $\omega L = \frac{1}{\omega C}$가 성립하는 지점의 각주파수를 구하면 됩니다.
① [기본 공식] $\omega = \frac{1}{\sqrt{LC}}$
② [숫자 대입] (조건식 그대로 적용)
③ [최종 결과] $\omega = \frac{1}{\sqrt{LC}}$
35. 다음 그림에 표시한 여파기는?
- 고역 여파기
- 대역 여파기
- 대역 소거 여파기
- 저역 여파기
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:32
회로 구성에서 직렬로 인덕터($L$)가 연결되어 있고, 병렬로 커패시터($C$)가 연결된 형태입니다. 저주파에서는 인덕터의 임피던스가 낮고 커패시터의 임피던스가 매우 높아 신호가 잘 통과하지만, 고주파에서는 인덕터의 임피던스가 높아져 신호를 차단하므로 저역 여파기입니다.
36. 전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?
- 과도현상과 시정수와는 관계가 없다.
- 시정수가 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
- 시정수의 역이 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
- 시정수의 역이 클수록 과도현상이 오래 지속된다.
37. 다음 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수는?
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:32
제시된 회로는 직렬 임피던스 $Z_1$과 병렬 임피던스 $Z_2$가 결합된 T형 또는 L형 회로망입니다. 4단자 정수 $A, B, C, D$를 구하는 공식에 대입합니다.
① [기본 공식] $A = 1 + \frac{Z_1}{Z_2}, B = Z_1, C = \frac{1}{Z_2}, D = 1$
② [행렬 구성] $\begin{bmatrix} A & B \\ C & D \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} 1 + \frac{Z_1}{Z_2} & Z_1 \\ \frac{1}{Z_2} & 1 \end{bmatrix}$
③ [최종 결과]
38. 자계 코일에 권수 N=2000회, 저항 R=6[Ω]에서 전류 I=10[A]가 통과하였을 경우 자속 ø=6×10-2[Wb]이다. 이 회로의 시정수는 몇 [sec]인가?
- 1
- 2
- 10
- 12
40. 다음 신호 
에 대한 라플라스 변환은?
-
CBT문제은행AI
2026-04-22 03:24
주어진 신호 $f(t) = \frac{1}{2}(1 + \cos 2t)$를 라플라스 변환합니다. 선형성에 의해 상수 $1$과 $\cos 2t$를 각각 변환하여 합산합니다.
① [기본 공식] $\mathcal{L}\{1\} = \frac{1}{s}$, $\mathcal{L}\{\cos at\} = \frac{s}{s^{2} + a^{2}}$
② [숫자 대입] $f(t) = \frac{1}{2} \times 1 + \frac{1}{2} \times \cos 2t$이므로 $$\mathcal{L}\{f(t)\} = \frac{1}{2} ( \frac{1}{s} + \frac{s}{s^{2} + 2^{2}} )$$
③ [최종 결과] $\frac{1}{2s} + \frac{s}{2(s^{2} + 4)}$ (정답 이미지
의 형태와 일치)
3과목: 전자회로
41. 다음 정전압회로에서 입력전압이 15[V], 제너전압이 10[V], 제너 다이오드에 흐르는 전류가 25[mA], 부하저항이 100[Ω]일 때 저항 R1의 값은?
- 20[Ω]
- 40[Ω]
- 125[Ω]
- 200[Ω]
42. 부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?
- 이득만 감소되고 기타 특성에는 변화가 없다.
- 이득이 커지고, 잡음, 왜율, 대역폭 특성이 개선된다.
- 이득이 감소되는 반면 잡음, 왜율, 대역폭은 증가된다.
- 이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭이 넓어진다.
43. 어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 86[dB]이고 차신호에 대한 전압이득(Ad)이 100000이라고 할 때, 이 차동증폭기의 동상신호에 대한 이득(Ac)은 얼마인가?
- 5
- 10
- 50
- 100
45. 다음 논리 게이트 중 Fan-out이 가장 큰 것은?
- RTL(Resistor-Transistor-Logic) 게이트
- TTL(Transistor-Transistor-Logic) 게이트
- DTL(Diode-Transistor-Logic) 게이트
- DL(Diode-Logic) 게이트
50. 수정 발진기의 주파수 안정도가 양호한 이유 중 옳지 않은 것은?
- 수정면의 Q가 매우 높다.
- 수정 진동자는 기계적으로 안정하다.
- 수정부분이 발진조건을 만족시키는 유도성 주파수 범위가 매우 좁다.
- 부하 변동의 영향을 전혀 받지 않는다.
52. 다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V]인가? (단, βDC는 150이다.)
- 2.2[V]
- 3.6[V]
- 5.6[V]
- 6.5[V]
53. 다음 중 수정 발진회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
- 발진주파수의 가변이 용이하다.
- 발진주파수의 안정도가 매우 높다.
- 초단파 이상의 주파수 발진이 곤란하다.
- 기계적으로나 물리적으로 매우 안정하다.
55. 다음 트랜지스터 소신호 증폭기의 입력(Ri) 및 출력(Ro) 임피던스는 어느 값에 가장 가까운가? (단, hie=1[kΩ], hfe=100이다.)
- Ri=4[Ω], Ro=1[kΩ]
- Ri=30[Ω], Ro=102[kΩ]
- Ri=102[kΩ], Ro=30[Ω]
- Ri=1[kΩ], Ro=4[Ω]
56. 다음 중 고주파 트랜지스터에서 fα와 fβ의 관계식은? (단, αo: CB의 저주파 단락 전류 증폭률, βo: CE의 저주파 단락 전류 증폭률)
- fβ=βofα
- fβ=(1+αo)fα
- fβ=fα(1-βo)
57. JK 플립플롭의 입력을 1로 하면 무엇이 되는가?
- RS 플립플롭
- D 플립플롭
- T 플립플롭
- RS 마스터 슬리브 플립플롭
58. 증폭기의 궤환에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- 부궤환을 걸어주면 전압이득은 감소하지만 대역폭이 증가하고 신호왜곡이 감소한다.
- 궤환신호(전류 또는 전압)가 출력전압에 비례할 때 전압궤환이라 한다.
- 출력전압 또는 전류에 비례하는 궤환전압이 입력신호 전압에 직렬로 연결되는 경우 직렬궤환이라 한다.
- 직렬궤환과 병렬궤환이 함께 사용된 것을 복합궤환이라 한다.
59. 다음 중 연산증폭기를 이용한 시미트 트리거 회로를 사용하는 목적으로 가장 적합한 것은?
- 톱니파를 만들기 위해
- 정전기를 방지하기 위해
- 입력신호에 대하여 전압보상을 하기 위하여
- 입력전압 등 노이즈에 의한 오동작을 방지하기 위하여
60. IDSS=25[mA], VGS(off)=15[V]인 p 채널 JFET가 자기 바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω]인가? (단, VGS=5[V]이다.)
- 320[Ω]
- 450[Ω]
- 630[Ω]
- 870[Ω]
4과목: 물리전자공학
61. PN 접합에 관한 다음의 설명 중 옳은 것은?
- 공간 전하 영역은 역방향 바이어스가 커지면 넓어진다.
- PN 접합에 순방향 바이어스를 가하면 공핍층 근처에 소수캐리어 밀도가 감소한다.
- 불순물의 농도를 증가시키면 공간 전하영역이 넓어진다.
- PN 접합부에 전계가 발생하고 이는 확산을 가속화시킨다.
62. 순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?
- 소수의 정공과 소수의 자유전자를 가진다.
- 금속 전도체와 같은 행동을 한다.
- 많은 수의 정공을 갖고 있다.
- 절연체와 같이 행동한다.
63. 쇼트키(schottky) 다이오드는 어떠한 접촉에 의하여 이루어지고 있는가?
- 금속과 금속의 접촉
- 금속과 반도체의 접촉
- 기체와 반도체의 접촉
- 반도체와 반도체의 접촉
64. α차단 주파수가 10[MHz]인 트랜지스터에서 이것을 이미터 접지로 사용할 경우 β차단 주파수는 약 몇 [kHz]인가? (단, α=0.98이다.)
- 100
- 150
- 204
- 408
65. 0℃, 1기압(atm)에 대한 기체 분자 밀도는 약 얼마인가? (단, 볼츠만 상수 K=1.38×10-23[J/°K]이다.)
- 2.69×1025[m-3]
- 7.2×1025[m-3]
- 5.45×1020[m-3]
- 11.4×1022[m-3]
66. 열전자를 방출하기 위한 재료로서 적합하지 않은 것은?
- 일함수가 작을 것
- 융점이 낮을 것
- 방출 효율이 좋을 것
- 진공 중에서 쉽게 증발되지 않을 것
67. 서미스터에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- 반도체의 일종이다.
- 정(正)의 온도계수를 갖는다.
- 온도에 따라 저항값이 변하는 소자다.
- 바이어스 안정화 회로 등에 사용한다.
68. 어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 정하량 Q=1.6×10-19[C]이다.)
- 6.25×1016 [개]
- 6.25×1018 [개]
- 6.25×1020 [개]
- 6.25×1022 [개]
69. 트랜지스터 제조시 컬렉터 내부용량과 베이스 저항을 작게하는 이유는?
- 순방향 특성을 개선하기 위하여
- 고주파 특성을 개선하기 위하여
- 역방향 내전압을 증가시키기 위하여
- 구조를 간단히 하고 소형화시키기 위하여
70. 전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule) 인가?
- 9.109×10-31
- 1.759×10-11
- 1.602×10-19
- 6.547×10-34
72. 반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- 홀 효과가 크다.
- 빛을 쪼이면 도전율이 증가한다.
- 불순물을 첨가하면 도전율이 감소한다.
- 온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.
73. 균등자계 B내에 수직으로 속도 v로 입사한 전자의 속도를 2배로 증가시켰을 때, 전자의 운동은 어떻게 변하는가?
- 원운동의 주기는 4배가 된다.
- 원운동의 각속도는 2배가 된다.
- 원운동의 반경은 변하지 않는다.
- 원운동의 주기는 변하지 않는다.
75. 반도체에서의 확산전류 밀도 J는? (단, n은 캐리어의 농도, q는 캐리어의 전하, D는 확산 정수, x는 거리이며, 1차원적인 구조의 경우를 생각한다.)
76. 자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채운다. 이러한 과정을 무엇이라 하는가?
- 열적 평형
- 확산(diffusion)
- 수명시간(life time)
- 재결합(recombination)
77. 터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터넬링(Tunnelling)은 언제 발생하는가?
- 역방향에서만 발생
- 정전압이 높을 때만 발생
- 바이어스가 영(zero)일 때 발생
- 아주 낮은 전압에 있는 정방향에서 발생
78. 쉬뢰딩거(Schröinger) 방정식에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
- 전자의 위치를 정확히 구할 수 있다.
- 전자의 위치 에너지가 0이라도 적용할 수 있다.
- 깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자의 에너지는 양자화 된다.
- 깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자에 대한 전자파의 정재파이다.
79. 파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
- Maxwell-Boltzmann 통계
- Bose-Einstein 통계
- Fermi-Dirac 통계
- Gausian 통계
80. 페르미(Fermi) 준위가 금지대의 중앙에 위치하여 자유전자와 정공의 농도가 같은 반도체는?
- 불순물 반도체
- 순수 반도체
- P형 반도체
- N형 반도체
5과목: 전자계산기일반
81. 다음은 Booth Algorithm을 나타내는 순서도이다. 빈칸(1)과 (2)에 알맞은 내용을 순서대로 나타낸 것은? (단, A: Accumulator, M: 피승수, Q: 승수, n: 계수)
- (1): A = A - M (2): A = A - M
- (1): A = A + M (2): A = A - M
- (1): A = A - M (2): A = A + M
- (1): A = A + M (2): A = A + M
82. 컴퓨터 시스템에서 입출력 속도를 높이기 위해서 마이크로프로세서의 제어를 받지 않고 직접 메모리를 Access하는 방법은?
- Input/Output Interface 방식
- Direct I/O Control 방식
- Indirect Microprocessor Control 방식
- DMA(Direct Memory Access) 방식
83. 범용 또는 특수 목적의 소프트웨어를 조합 또는 조직적으로 구성하고, 여러 가지 종류의 원시프로그램, 목적 프로그램들을 분류하여 기억하고 있는 것은?
- Problem State
- PSW(Program Status Word)
- Interrupt
- Program library
84. 다음은 C 언어에 관한 설명이다. 옳지 않은 것은?
- C 언어의 기원은 ALGOL에서 찾을 수 있다.
- 뛰어난 이식성을 가지고 있다.
- 분할 컴파일이 가능하다.
- 주로 상위 레벨 프로그래밍 위주의 고급 언어이며 하위 레벨의 비트조작 기능과는 관계가 없다.
85. 기억장치에 기억된 자료의 내용 또는 그의 일부에 의해서 기억되어 있는 위치에 접근하여 자료를 읽어내는 장치는?
- Associative Memory
- Cache Memory
- Virtual Memory
- Extensive Memory
86. BCD 코드 1001에 대한 해밍 코드를 구하면? (단, 짝수 패리티 체크를 수행한다.)
- 1000011
- 0100101
- 0011001
- 0110010
88. 다음의 2진수 연산은 어떤 논리연산인가?
- AND
- OR
- EX-OR
- XNOR
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:31
제시된 이미지
의 연산 과정을 보면, 두 비트가 서로 다를 때 1이 되고 같을 때 0이 되는 배타적 논리합(EX-OR) 연산임을 알 수 있습니다.
89. 기억장치로부터 인출된 명령어코드가 제어 유니트에 의해 해독되기 전에 일시적으로 저장되어 있는 레지스터는?
- 프로그램 카운터(PC)
- 명령어 레지스터(IR)
- 누산기(AC)
- 메모리 주소 레지스터(MAR)
90. 수평 마이크로프로그램의 특징이 아닌 것은?
- 하드웨어를 효율적으로 사용할 수 있다.
- 데이터 해독에 따른 시간지연이 발생하지 않는다.
- 제어기억장치의 사용 용량이 작아진다.
- 마이크로명령어의 길이가 증가한다.
91. 가상 기억체제에서 주소 공간이 1024K이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?
- 10
- 12
- 14
- 16
93. 다음 RAID 중 대형 레코드가 많이 사용되는 업무에서 단일 사용자시스템에 적합한 것은?
- RAID-1
- RAID-2
- RAID-3
- RAID-4
94. JAVA 같은 객체지향 언어의 개념에서 객체가 메시지를 받아 실행해야 할 구체적인 연산을 정의한 것은?
- 클래스
- 인스턴스
- 메소드
- 상속자
95. 음수를 표현하는데 있어서 부호화된 2의 보수법이 1의 보수법에 대하여 갖는 장점은?
- 양수 표현에 있어 유리하다.
- 보수를 취하기가 쉽다.
- 산술연산속도가 느리다.
- 2의 보수에서는 올림수가 발생하면 무시한다.
96. 서브루틴의 리턴(복귀) 어드레스를 저장하기 위해 사용되는 자료 구조는?
- STACK
- QUEUE
- Linked List
- Tree 구조
97. 인스트럭션 수행시간이 30[ns]이고, 인스트럭션 페치시간이 4[ns], 인스트럭션 준비시간이 2[ns]이라면 인스트럭션의 성능은 얼마인가?
- 5
- 0.5
- 2
- 0.2
98. 다음 그림과 같은 주소 지정방식은?
- 직접데이터 지정방식
- 상대주소 지정방식
- 간접주소 지정방식
- 직접주소 지정방식
-
CBT문제은행AI
2026-04-27 23:31
제시된 이미지 $\text{
}$를 보면, 프로그램 카운터(PC) 값에 특정 변위(Offset)를 더해 실제 기억장치의 주소를 결정하고 있습니다. 이는 현재 실행 중인 명령어의 위치를 기준으로 주소를 지정하는 상대주소 지정방식의 특징입니다.
4. ADD: 가장 위에 있는 두 값(1과 3)을 꺼내 더함 ($1 + 3 = 4$ )